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IKD10N60RFAATMA1

IKD10N60RFAATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD10N60RFAATMA1
PNEDA Teilenummer IKD10N60RFAATMA1
Beschreibung IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.808
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IKD10N60RFAATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD10N60RFAATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD10N60RFAATMA1, IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.749,69 KB)
PDFIKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Cover
IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 2 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 3 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 4 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 5 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 6 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 7 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 8 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 9 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 10 IKD10N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD10N60RFAATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Leistung - max150W
Schaltenergie190µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge64nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/168ns
Testbedingung400V, 10A, 26Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)72ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

165µJ (on), 255µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/105ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

118A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

1mJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

44nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/75ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-247 (IXYH)

STGD8NC60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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