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IXYH30N65C3H1

IXYH30N65C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH30N65C3H1
PNEDA Teilenummer IXYH30N65C3H1
Beschreibung IGBT 650V 60A 270W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.946
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYH30N65C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH30N65C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH30N65C3H1, IXYH30N65C3H1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 260,59 KB)
PDFIXYT30N65C3H1HV Datenblatt Cover
IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 2 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 3 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 4 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 5 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 6

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IXYH30N65C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)118A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Leistung - max270W
Schaltenergie1mJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge44nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/75ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)120ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Schaltenergie

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/292ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGPF70N30TTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

49.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

66W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/120ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

46W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

-

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21ns

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