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FGPF30N30DTU

FGPF30N30DTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGPF30N30DTU
PNEDA Teilenummer FGPF30N30DTU
Beschreibung IGBT 300V 46W TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.588
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGPF30N30DTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGPF30N30DTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGPF30N30DTU, FGPF30N30DTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 765,71 KB)
PDFFGPF30N30DTU Datenblatt Cover
FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 2 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 3 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 4 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 5 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 6 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 7 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 8 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 9

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FGPF30N30DTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 10A
Leistung - max46W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge39nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)21ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

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NGTB40N120L3WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/150ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

190A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

IRG4PSH71U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

99A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

4.77mJ (on), 9.54mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

51ns/280ns

Testbedingung

960V, 70A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

FGH40N60SMD-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

920µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXGT20N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

6.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/400ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-268

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