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FGPF30N30DTU

FGPF30N30DTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGPF30N30DTU
PNEDA Teilenummer FGPF30N30DTU
Beschreibung IGBT 300V 46W TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.588
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGPF30N30DTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGPF30N30DTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGPF30N30DTU, FGPF30N30DTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 765,71 KB)
PDFFGPF30N30DTU Datenblatt Cover
FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 2 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 3 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 4 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 5 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 6 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 7 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 8 FGPF30N30DTU Datenblatt Seite 9

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FGPF30N30DTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 10A
Leistung - max46W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge39nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)21ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

190A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

FGH40N60SMD-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

920µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB40N120L3WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/150ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGP19NC60WD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IGW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

4.2mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/560ns

Testbedingung

600V, 25A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

MAX890LESA+T

MAX890LESA+T

Maxim Integrated

IC SW MOSFET PUR PCH HSIDE 8SOIC

MCP16331T-E/CH

MCP16331T-E/CH

Microchip Technology

IC REG BUCK ADJ 500MA SOT23-6

BC817-16

BC817-16

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

MCP1826-3302E/ET

MCP1826-3302E/ET

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 1A 5DDPAK

NTR4171PT1G

NTR4171PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

Abracon

CRYSTAL 26.0000MHZ 10PF SMD

CDRH127/LDNP-220MC

CDRH127/LDNP-220MC

Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

1SMB5931BT3G

1SMB5931BT3G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 18V 550MW SMB

SSM3K15AFS,LF

SSM3K15AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

TDK

FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

403C35E12M00000

403C35E12M00000

CTS Frequency Controls

CRYSTAL 12.0000MHZ 20PF SMD

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD