FGPF30N30DTU
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| Teilenummer | FGPF30N30DTU |
| PNEDA Teilenummer | FGPF30N30DTU |
| Beschreibung | IGBT 300V 46W TO220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.588 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGPF30N30DTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGPF30N30DTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGPF30N30DTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 46W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 39nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 21ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 454W Schaltenergie 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/150ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 86ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 6.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/400ns Testbedingung 800V, 20A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.2V @ 15V, 21A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 155nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/260ns Testbedingung 1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 230ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max 350W Schaltenergie 4.77mJ (on), 9.54mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 51ns/280ns Testbedingung 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-274AA Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.35mJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 88nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/110ns Testbedingung 700V, 20A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
