IXDT30N120
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| Teilenummer | IXDT30N120 |
| PNEDA Teilenummer | IXDT30N120 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 60A 300W TO268AA |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.646 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXDT30N120 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDT30N120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXDT30N120 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller IXYS Serie Polar™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 120A Leistung - max 500W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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