APT43GA90B
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| Teilenummer | APT43GA90B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT43GA90B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 314 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT43GA90B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT43GA90B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT43GA90B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 78A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 129A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 337W |
| Schaltenergie | 875µJ (on), 425µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 116nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/82ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 135A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 20A Leistung - max 235W Schaltenergie 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/275ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 152ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie Polar™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 270V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 79nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 70A Leistung - max 48W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
