NGTG30N60FWG
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Teilenummer | NGTG30N60FWG |
PNEDA Teilenummer | NGTG30N60FWG |
Beschreibung | IGBT 600V 60A 167W TO247 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.698 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTG30N60FWG Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NGTG30N60FWG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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NGTG30N60FWG Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
Leistung - max | 167W |
Schaltenergie | 650µJ (on), 650µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 170nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 81ns/190ns |
Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/150ns Testbedingung 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 468W Schaltenergie 690µJ (on), 2.54mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/125ns Testbedingung 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 165ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |