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NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTG30N60FWG
PNEDA Teilenummer NGTG30N60FWG
Beschreibung IGBT 600V 60A 167W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.698
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NGTG30N60FWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTG30N60FWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTG30N60FWG, NGTG30N60FWG Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 169,47 KB)
PDFNGTG30N60FWG Datenblatt Cover
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NGTG30N60FWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Leistung - max167W
Schaltenergie650µJ (on), 650µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.81ns/190ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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SGTB11N60R2DT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRG4BC30FD-STRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGB5B120KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 6A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

390µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

600V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IXSH30N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

STGWA75M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

690µJ (on), 2.54mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/125ns

Testbedingung

400V, 75A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

165ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Kürzlich verkauft

PM200DV1A120

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC

SP0506BAATG

SP0506BAATG

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

EPM2210F324C5N

EPM2210F324C5N

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IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA

IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

MAX3100CEE+T

MAX3100CEE+T

Maxim Integrated

IC UART SPI COMPAT 16-QSOP

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1.5KE27AG

Littelfuse

TVS DIODE 23.1V 37.5V AXIAL

ADV7123SCP170EP-RL

ADV7123SCP170EP-RL

Analog Devices

IC DAC 10BIT A-OUT 48LQFP

06035C104KAT2A

06035C104KAT2A

CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603

SRN8040TA-100M

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FIXED IND 10UH 4.6A 33 MOHM SMD

SMCJ5.0CA

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MCP73832T-2ATI/OT

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