IRG4BC30FD-STRR
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| Teilenummer | IRG4BC30FD-STRR |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC30FD-STRR |
| Beschreibung | IGBT 600V 31A 100W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.500 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 3 - Mär 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG4BC30FD-STRR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC30FD-STRR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IRG4BC30FD-STRR, IRG4BC30FD-STRR Datenblatt
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IRG4BC30FD-STRR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 31A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 51nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 42ns/230ns |
| Testbedingung | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 390W Schaltenergie 2.61mJ (on), 1.85mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/410ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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