92-0235
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| Teilenummer | 92-0235 |
| PNEDA Teilenummer | 92-0235 |
| Beschreibung | IGBT 430V 20A 125W TO220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.410 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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92-0235 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 92-0235 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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92-0235 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 430V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 5V, 14A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 27nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 900ns/6µs |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.2V @ 15V, 90A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 118A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 543W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/100ns Testbedingung 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D3Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 55µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/100ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 178A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 460A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Leistung - max 1500W Schaltenergie 8.7mJ (on), 5.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/180ns Testbedingung 850V, 50A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 44ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 28A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 8.6A Leistung - max 49W Schaltenergie 320µJ (on), 1.93mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/540ns Testbedingung 480V, 8.6A, 75Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
