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APT12031JFLL

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: POWER MOS 7®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9480pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 690AW (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: ISOTOP®
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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MPF960

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 2A TO-92

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: TO-92-3
• Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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IRFM460

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: HEXFET®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 250W (Tc)
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: TO-254AA
• Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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IXFN50N120SIC

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 20V
• Vgs (Max): +20V, -5V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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IXFX38N80Q2

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8340pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 735W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: PLUS247™-3
• Paket / Fall: TO-247-3

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IXTX20N150

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7800pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1250W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: PLUS247™-3
• Paket / Fall: TO-247-3

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IXTN36N50

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Vgs (Max): -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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IXFK32N100Q3

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9940pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1250W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK)
• Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA

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IXFN210N20P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 188A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1070W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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IXFX32N100Q3

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9940pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1250W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: PLUS247™-3
• Paket / Fall: TO-247-3

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IXFN55N50F

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: HiPerRF™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 600W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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IXFB70N60Q2

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 890W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: PLUS264™
• Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA

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IXFN56N90P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: Polar™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 56A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1000W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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IXFN50N80Q2

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1135W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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IXTT1N450HV

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 4500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 520W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: TO-268
• Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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APTM10UM01FAG

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 12mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2100nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60000pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 2500W (Tc)
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SP6
• Paket / Fall: SP6

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IXFN80N50

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9890pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 700W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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EPC8009

EPC

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE

• Hersteller: EPC
• Serie: eGaN®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 5V
• Vgs (Max): +6V, -4V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 32.5V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: Die
• Paket / Fall: Die

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SUD50N04-8M8P-4GE3

Vishay Siliconix

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 14A TO-252

• Hersteller: Vishay Siliconix
• Serie: TrenchFET®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 50A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak)
• Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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AUIRFS4127

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET NCH 200V 72A D2PAK

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5380pF @ 50V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 375W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB)
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IXFN110N60P3

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™, Polar3™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1500W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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EPC8010

EPC

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE

• Hersteller: EPC
• Serie: eGaN®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48nC @ 5V
• Vgs (Max): +6V, -4V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 50V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: Die
• Paket / Fall: Die

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IXTL2N450

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 4500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 220W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™
• Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™

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IXTF1N450

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK

• Hersteller: IXYS
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 4500V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 160W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™
• Paket / Fall: i4-Pac™-5 (3 Leads)

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IXFN60N80P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: PolarHV™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
• Vgs (Max): ±30V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 1040W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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IXFN360N10T

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

• Hersteller: IXYS
• Serie: HiPerFET™
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360A (Tc)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505nC @ 10V
• Vgs (Max): ±20V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36000pF @ 25V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): 830W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Lieferantengerätepaket: SOT-227B
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC

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EPC2012C

EPC

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

• Hersteller: EPC
• Serie: eGaN®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
• Vgs (Max): +6V, -4V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: Die Outline (4-Solder Bar)
• Paket / Fall: Die

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EPC2039

EPC

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GANFET TRANS 80V BUMPED DIE

• Hersteller: EPC
• Serie: eGaN®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Ta)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 5V
• Vgs (Max): +6V, -4V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 40V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: Die
• Paket / Fall: Die

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EPC2014C

EPC

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE

• Hersteller: EPC
• Serie: eGaN®
• FET-Typ: N-Channel
• Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta)
• Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
• Vgs (Max): +6V, -4V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
• FET-Funktion: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Lieferantengerätepaket: Die Outline (5-Solder Bar)
• Paket / Fall: Die

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JANTX2N6989U

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: Military, MIL-PRF-19500/559
• Transistortyp: 4 NPN (Quad)
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
• Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• Leistung - max: 1W
• Frequenz - Übergang: -
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 20-CLCC
• Lieferantengerätepaket: 20-CLCC

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