IXFN56N90P

Nur als Referenz
Teilenummer | IXFN56N90P | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | IXFN56N90P | ||||||||||||||||||
Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B | ||||||||||||||||||
Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
|
||||||||||||||||||
Auf Lager | 5.971 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
IXFN56N90P Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | IXFN56N90P |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IXFN56N90P Datasheet
- where to find IXFN56N90P
- IXYS
- IXYS IXFN56N90P
- IXFN56N90P PDF Datasheet
- IXFN56N90P Stock
- IXFN56N90P Pinout
- Datasheet IXFN56N90P
- IXFN56N90P Supplier
- IXYS Distributor
- IXFN56N90P Price
- IXFN56N90P Distributor
IXFN56N90P Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | Polar™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 56A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 375nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1000W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 722pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P7 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 51W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO251-3 Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie DTMOSIV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 820mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 310µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |