IXTF1N450
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| Teilenummer | IXTF1N450 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXTF1N450 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 7.246 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IXTF1N450 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTF1N450 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTF1N450 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 4500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 900mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85Ohm @ 50mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 160W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Paket / Fall | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UMT3F Paket / Fall SC-85 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 80W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SMP-FD Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5370pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
