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IXTL2N450

IXTL2N450

Nur als Referenz

Teilenummer IXTL2N450
PNEDA Teilenummer IXTL2N450
Beschreibung MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $1.343,6513
50 ---------- $1.280,6677
100 ---------- $1.217,6840
200 ---------- $1.154,7004
400 ---------- $1.102,2140
500 ---------- $1.049,7276
Auf Lager 1.710
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IXTL2N450 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTL2N450
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTL2N450, IXTL2N450 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 150,91 KB)
PDFIXTL2N450 Datenblatt Cover
IXTL2N450 Datenblatt Seite 2 IXTL2N450 Datenblatt Seite 3 IXTL2N450 Datenblatt Seite 4 IXTL2N450 Datenblatt Seite 5

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IXTL2N450 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)4500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs156nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6900pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)220W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketISOPLUSi5-Pak™
Paket / FallISOPLUSi5-Pak™

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

767pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.9nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRC644PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

Current Sensing

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

Paket / Fall

TO-220-5

DMG7430LFGQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

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-

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1918pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

183W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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