APTM10UM01FAG
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| Teilenummer | APTM10UM01FAG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APTM10UM01FAG | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 177 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APTM10UM01FAG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM10UM01FAG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APTM10UM01FAG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 860A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 275A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2100nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2500W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
| Paket / Fall | SP6 |
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