IXFK32N100Q3
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFK32N100Q3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXFK32N100Q3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 182 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXFK32N100Q3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFK32N100Q3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFK32N100Q3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 32A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9940pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264AA (IXFK) |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 346nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 29000pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3 Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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