IXFB70N60Q2
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFB70N60Q2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXFB70N60Q2 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 44 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXFB70N60Q2 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFB70N60Q2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFB70N60Q2 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 70A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 265nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 890W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS264™ |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
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