MMIX1F180N25T
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| Teilenummer | MMIX1F180N25T |
| PNEDA Teilenummer | MMIX1F180N25T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 130A SMPD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.354 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 27 - Mär 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MMIX1F180N25T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMIX1F180N25T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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MMIX1F180N25T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 132A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 364nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23800pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 570W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 24-SMPD |
| Paket / Fall | 24-PowerSMD, 21 Leads |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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