IMW120R220M1HXKSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | IMW120R220M1HXKSA1 |
PNEDA Teilenummer | IMW120R220M1HXKSA1 |
Beschreibung | COOLSIC MOSFETS 1200V |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.042 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IMW120R220M1HXKSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IMW120R220M1HXKSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IMW120R220M1HXKSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolSiC™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 286mOhm @ 4A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1.6mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 18V |
Vgs (Max) | +23V, -7V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 289pF @ 800V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-41 |
Paket / Fall | TO-247-3 |
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