AUIRFS4127
Nur als Referenz
Teilenummer | AUIRFS4127 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | AUIRFS4127 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | MOSFET NCH 200V 72A D2PAK | ||||||||||||||||||
Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 7.589 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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AUIRFS4127 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | AUIRFS4127 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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AUIRFS4127 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 72A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5380pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 115mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-323 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
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