SI3447BDV-T1-GE3
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Teilenummer | SI3447BDV-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI3447BDV-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.232 |
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SI3447BDV-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI3447BDV-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SI3447BDV-T1-GE3, SI3447BDV-T1-GE3 Datenblatt
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SI3447BDV-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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