IXFN360N10T
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Teilenummer | IXFN360N10T | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | IXFN360N10T | ||||||||||||||||||
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | ||||||||||||||||||
Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 1.567 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IXFN360N10T Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXFN360N10T |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXFN360N10T Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 360A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 505nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 36000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 830W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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