EPC2012C

Nur als Referenz
Teilenummer | EPC2012C | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | EPC2012C | ||||||||||||||||||
Beschreibung | GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE | ||||||||||||||||||
Hersteller | EPC | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 1.650 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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EPC2012C Ressourcen
Marke | EPC |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | EPC2012C |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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EPC2012C Technische Daten
Hersteller | EPC |
Serie | eGaN® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Die Outline (4-Solder Bar) |
Paket / Fall | Die |
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