FGB40N60SM
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGB40N60SM | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGB40N60SM | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 349W D2PAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 60.917 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FGB40N60SM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGB40N60SM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGB40N60SM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 349W |
| Schaltenergie | 870µJ (on), 260µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 119nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/92ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 3.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/150ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264AA(IXSK) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1mJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/126ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 61ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max 165W Schaltenergie 380µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/87ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A Leistung - max 1040W Schaltenergie 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 358nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/418ns Testbedingung 1360V, 42A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 360ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 320µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/110ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
