IXBX75N170A
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| Teilenummer | IXBX75N170A |
| PNEDA Teilenummer | IXBX75N170A |
| Beschreibung | IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.250 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBX75N170A Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBX75N170A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBX75N170A Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 110A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 42A |
| Leistung - max | 1040W |
| Schaltenergie | 3.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 358nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/418ns |
| Testbedingung | 1360V, 42A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 360ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PF |
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