IXBX75N170A Datenblatt
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A Leistung - max 1040W Schaltenergie 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 358nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/418ns Testbedingung 1360V, 42A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 360ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A Leistung - max 1040W Schaltenergie 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 358nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/418ns Testbedingung 1360V, 42A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 360ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
