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IXBK75N170A

IXBK75N170A

Nur als Referenz

Teilenummer IXBK75N170A
PNEDA Teilenummer IXBK75N170A
Beschreibung IGBT 1700V 110A 1040W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.312
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXBK75N170A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBK75N170A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBK75N170A, IXBK75N170A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 184,31 KB)
PDFIXBX75N170A Datenblatt Cover
IXBX75N170A Datenblatt Seite 2 IXBX75N170A Datenblatt Seite 3 IXBX75N170A Datenblatt Seite 4 IXBX75N170A Datenblatt Seite 5 IXBX75N170A Datenblatt Seite 6

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IXBK75N170A Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)110A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 42A
Leistung - max1040W
Schaltenergie3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge358nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/418ns
Testbedingung1360V, 42A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)360ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

1.46mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/511ns

Testbedingung

600V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

95µJ (on), 115µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18.5ns/72ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4RC20F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

66W

Schaltenergie

190µJ (on), 920µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/194ns

Testbedingung

480V, 12A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

STGF19NC60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

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Gate Charge

119nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/126ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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