IXBT16N170A
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| Teilenummer | IXBT16N170A | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXBT16N170A | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1700V 16A 150W TO268 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 210 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXBT16N170A Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBT16N170A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBT16N170A Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 16A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 1.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 65nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/160ns |
| Testbedingung | 1360V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 360ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 13A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 2A Leistung - max 32W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 10.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 920ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 55µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/100ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 6A Leistung - max 28W Schaltenergie 200µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.4ns/130ns Testbedingung 400V, 6A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 123ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 75A Leistung - max 938W Schaltenergie 3.4mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/303ns Testbedingung 600V, 75A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 292ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 88µJ (on), 107µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/34ns Testbedingung 300V, 5A, 40Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
