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FGH30S150P

FGH30S150P

Nur als Referenz

Teilenummer FGH30S150P
PNEDA Teilenummer FGH30S150P
Beschreibung IGBT 1500V 60A TO-247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $39,3979
100 ---------- $37,5511
250 ---------- $35,7043
500 ---------- $33,8576
750 ---------- $32,3186
1.000 ---------- $30,7796
Auf Lager 2.802
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FGH30S150P Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH30S150P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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FGH30S150P Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
Leistung - max500W
Schaltenergie1.16mJ (on), 900µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge369nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.32ns/492ns
Testbedingung600V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

274W

Schaltenergie

1.23mJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/127ns

Testbedingung

400V, 50A, 8.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

TIG062E8-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 3V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

NGTB50N60SWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

-

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/144ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

376ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

ISL9V5036P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

HGT1S14N36G3VLS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 5V, 14A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/7µs

Testbedingung

300V, 7A, 25Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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