Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 2080/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IXBH16N170 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 40A 250W TO247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 72nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.32µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager272
IXBH16N170A IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 16A 150W TO247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A Leistung - max: 150W Schaltenergie: 1.2mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/160ns Testbedingung: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 360ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager6.816
IXBH20N300 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V 50A 250W TO247 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.35µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager6.174
IXBH20N360HV IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3600V 70A TO-247HV Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 430W Schaltenergie: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/238ns Testbedingung: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 1.7µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket: TO-247HV	Auf Lager111
IXBH24N170 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 60A 250W TO247 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 230A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.06µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager4.626
IXBH28N170A IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 30A 300W TO247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A Leistung - max: 300W Schaltenergie: 1.2mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 35ns/265ns Testbedingung: 850V, 14A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 360ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager2.232
IXBH2N250 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 2500V 5A 32W TO247 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 13A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A Leistung - max: 32W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 10.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 920ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager6.528
IXBH32N300 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V 80A 400W TO247 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A Leistung - max: 400W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.5µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager1.259
IXBH40N160 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1600V 33A 350W TO247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 33A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 350W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 960V, 20A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager1.011
IXBH42N170 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 80A 360W TO247 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A Leistung - max: 360W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.32µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager6.840
IXBH42N170A IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 42A 357W TO247 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 265A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A Leistung - max: 357W Schaltenergie: 3.43mJ (on), 430µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19ns/200ns Testbedingung: 850V, 21A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 330ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager248
IXBH5N160G IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A Leistung - max: 68W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 960V, 3A, 47Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager3.204
IXBH6N170 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 12A 75W TO247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A Leistung - max: 75W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.08µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager6.678
IXBH9N160G IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1600V 9A 100W TO247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 5A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 960V, 5A, 27Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXBH)	Auf Lager6.516
IXBK55N300 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V 130A 625W TO264 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 600A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A Leistung - max: 625W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 335nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.9µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager22.866
IXBK64N250 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A Leistung - max: 735W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager5.198
IXBK75N170 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 200A 1040W TO264 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 580A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A Leistung - max: 1040W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 350nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.5µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager6.642
IXBK75N170A IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 110A 1040W TO264 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A Leistung - max: 1040W Schaltenergie: 3.8mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 358nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/418ns Testbedingung: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 360ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager3.312
IXBL20N300C IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 430A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 20A Leistung - max: 417W Schaltenergie: 23mJ (on), 2.6mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 33ns/370ns Testbedingung: 1500V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 864ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager6.696
IXBL60N360 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 92A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 720A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 60A Leistung - max: 417W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 450nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/340ns Testbedingung: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 1.95µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager8.640
IXBL64N250 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 116A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 750A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A Leistung - max: 500W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 400nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 160ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager8.982
IXBP5N160G IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A Leistung - max: 68W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 960V, 3A, 47Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.574
IXBR42N170 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 42A Leistung - max: 200W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.32µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™	Auf Lager4.878
IXBT10N170 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 20A 140W TO268 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A Leistung - max: 140W Schaltenergie: 6mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 35ns/500ns Testbedingung: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 360ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: TO-268	Auf Lager2.034
IXBT12N300 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V 30A 160W TO268 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A Leistung - max: 160W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.4µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: TO-268	Auf Lager6.300
IXBT12N300HV IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V 30A 160W TO268 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A Leistung - max: 160W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 64ns/180ns Testbedingung: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 1.4µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: TO-268	Auf Lager7.812
IXBT16N170A IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1700V 16A 150W TO268 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A Leistung - max: 150W Schaltenergie: 1.2mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/160ns Testbedingung: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 360ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: TO-268	Auf Lager210
IXBT16N170AHV IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A Leistung - max: 150W Schaltenergie: 2.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/250ns Testbedingung: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 25ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: TO-268HV	Auf Lager7.596
IXBT20N300 IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V 50A 250W TO268 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.35µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: TO-268	Auf Lager2.754
IXBT20N300HV IXYS	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 3000V 50A 250W TO268 Hersteller: IXYS Serie: BIMOSFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.35µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket: TO-268	Auf Lager4.518

«
‹
1
...
2077
2078
2079
2080 (current)
2081
2082
2083
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message