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IXBH20N300

IXBH20N300

Nur als Referenz

Teilenummer IXBH20N300
PNEDA Teilenummer IXBH20N300
Beschreibung IGBT 3000V 50A 250W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.174
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IXBH20N300 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBH20N300
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBH20N300, IXBH20N300 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 174,66 KB)
PDFIXBT20N300 Datenblatt Cover
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IXBH20N300 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 20A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge105nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.35µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXBH)

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APT50GF120LRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Leistung - max

781W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 2.64mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/260ns

Testbedingung

800V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

STGD18N40LZ-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

420V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

650ns/13.5µs

Testbedingung

300V, 10A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

I-PAK

STGFW40V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/208ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PF-3

IRGR3B60KD2PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

62µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 3A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

77ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

194W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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