IXGX64N60B3D1
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| Teilenummer | IXGX64N60B3D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGX64N60B3D1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 460W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.718 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGX64N60B3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGX64N60B3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXGX64N60B3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 460W |
| Schaltenergie | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 168nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/138ns |
| Testbedingung | 480V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 230W Schaltenergie 430µJ (on), 650µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/80ns Testbedingung 400V, 20A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 74A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 250W Schaltenergie 350µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/165ns Testbedingung 400V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-41 |
Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 130A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 36A Leistung - max 600W Schaltenergie 1.3mJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/80ns Testbedingung 400V, 36A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
