IRGR3B60KD2PBF
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| Teilenummer | IRGR3B60KD2PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGR3B60KD2PBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.706 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGR3B60KD2PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGR3B60KD2PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGR3B60KD2PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 7.8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 15.6A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 52W |
| Schaltenergie | 62µJ (on), 39µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 13nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/110ns |
| Testbedingung | 400V, 3A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 77ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
