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IXGH30N60C3C1

IXGH30N60C3C1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH30N60C3C1
PNEDA Teilenummer IXGH30N60C3C1
Beschreibung IGBT 600V 60A 220W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.114
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGH30N60C3C1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH30N60C3C1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH30N60C3C1, IXGH30N60C3C1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 284,22 KB)
PDFIXGH30N60C3C1 Datenblatt Cover
IXGH30N60C3C1 Datenblatt Seite 2 IXGH30N60C3C1 Datenblatt Seite 3 IXGH30N60C3C1 Datenblatt Seite 4 IXGH30N60C3C1 Datenblatt Seite 5 IXGH30N60C3C1 Datenblatt Seite 6 IXGH30N60C3C1 Datenblatt Seite 7

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IXGH30N60C3C1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 20A
Leistung - max220W
Schaltenergie120µJ (on), 90µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge38nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/42ns
Testbedingung300V, 20A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

270µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/68ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGL12040WD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

391W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/560ns

Testbedingung

600V, 40A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

71ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

IXDP20N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

900µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

300V, 20A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGW19NC60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

FGH30N6S2D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

DFLS1200-7

DFLS1200-7

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

1014-12

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Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC

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LTC2487IDE#PBF

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IC ADC 16BIT SIGMA-DELTA 14DFN

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CAP CER 1000PF 250V X7R 0805

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IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO

SMAJ6.0A

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Bourns

TVS DIODE 6V 10.3V SMA

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Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR SPI 20-TSSOP

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IC MPU RESET CIRC 4.38V SOT23

USB2642-I/ML

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IC FLASH MEDIA CTLR USB2 48VQFN