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SGW15N120FKSA1

SGW15N120FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGW15N120FKSA1
PNEDA Teilenummer SGW15N120FKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SGW15N120FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGW15N120FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGW15N120FKSA1, SGW15N120FKSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 402,38 KB)
PDFSGW15N120FKSA1 Datenblatt Cover
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SGW15N120FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)52A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 15A
Leistung - max198W
Schaltenergie1.9mJ
EingabetypStandard
Gate Charge130nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/580ns
Testbedingung800V, 15A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

127nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/284ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3P

STGD6NC60H-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

230A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Leistung - max

1250W

Schaltenergie

5mJ (on), 3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/210ns

Testbedingung

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

RJH60D1DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

100µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/42ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

141µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/36ns

Testbedingung

300V, 10A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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