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STGD6NC60H-1

STGD6NC60H-1

Nur als Referenz

Teilenummer STGD6NC60H-1
PNEDA Teilenummer STGD6NC60H-1
Beschreibung IGBT N-CH 600V 7A IPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 23.430
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGD6NC60H-1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD6NC60H-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD6NC60H-1, STGD6NC60H-1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 370,3 KB)
PDFSTGD6NC60H-1 Datenblatt Cover
STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 2 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 3 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 4 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 5 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 6 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 7 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 8 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 9 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 10 STGD6NC60H-1 Datenblatt Seite 11

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STGD6NC60H-1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)21A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 3A
Leistung - max62.5W
Schaltenergie20µJ (on), 68µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/76ns
Testbedingung390V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
LieferantengerätepaketIPAK (TO-251)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.35mJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/110ns

Testbedingung

700V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGB4062DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4IBC10UD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

140µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/87ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

FGB3245G2-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/5.4µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

IRGP4063-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/145ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Kürzlich verkauft

ERJ-M1WSF20MU

ERJ-M1WSF20MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.02 OHM 1% 1W 2512

ADUM5401ARWZ

ADUM5401ARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

FSSD07UMX

FSSD07UMX

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER 24UMLP

ISL4221EIRZ-T

ISL4221EIRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16QFN

ABM8-24.000MHZ-D2-T

ABM8-24.000MHZ-D2-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

MAX6817EUT+T

MAX6817EUT+T

Maxim Integrated

IC DEBOUNCER SWITCH DUAL SOT23-6

595D336X0035R2T

595D336X0035R2T

Vishay Sprague

CAP TANT 33UF 20% 35V 2824

1N5618

1N5618

Semtech

DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL

EEE-FT1V220AR

EEE-FT1V220AR

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 35V SMD

M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

25LC128-I/ST

25LC128-I/ST

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IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOP