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IXGT20N140C3H1

IXGT20N140C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT20N140C3H1
PNEDA Teilenummer IXGT20N140C3H1
Beschreibung IGBT 1400V 42A 250W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.412
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IXGT20N140C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT20N140C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT20N140C3H1, IXGT20N140C3H1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 658,34 KB)
PDFIXGT20N140C3H1 Datenblatt Cover
IXGT20N140C3H1 Datenblatt Seite 2

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IXGT20N140C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1400V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)42A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5V @ 15V, 20A
Leistung - max250W
Schaltenergie1.35mJ (on), 440µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge88nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/110ns
Testbedingung700V, 20A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)70ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/170ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

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-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

348W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

55W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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