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FID36-06D

FID36-06D

Nur als Referenz

Teilenummer FID36-06D
PNEDA Teilenummer FID36-06D
Beschreibung IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $56,7498
100 ---------- $54,0897
250 ---------- $51,4295
500 ---------- $48,7694
750 ---------- $46,5526
1.000 ---------- $44,3358
Auf Lager 149
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FID36-06D Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFID36-06D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FID36-06D, FID36-06D Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 46,91 KB)
PDFFID36-06D Datenblatt Cover
FID36-06D Datenblatt Seite 2

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FID36-06D Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)38A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
Leistung - max125W
Schaltenergie1.1mJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung300V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

HGTP20N60A4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

105µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/73ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

800µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGP10NC60H

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

31.8µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14.2ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 5A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/190ns

Testbedingung

850V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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