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IKD06N60RAATMA1

IKD06N60RAATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD06N60RAATMA1
PNEDA Teilenummer IKD06N60RAATMA1
Beschreibung IGBT 600V 12A TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKD06N60RAATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD06N60RAATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD06N60RAATMA1, IKD06N60RAATMA1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 2.388,89 KB)
PDFIKD06N60RAATMA1 Datenblatt Cover
IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 2 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 3 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 4 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 5 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 6 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 7 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 8 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 9 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 10 IKD06N60RAATMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD06N60RAATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
Leistung - max100W
Schaltenergie110µJ (on), 220µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/127ns
Testbedingung400V, 6A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)68ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/163ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D3Pak

FGD4536TM_SN00306

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

47nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

175A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1000A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/160ns

Testbedingung

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/110ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

298W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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