HGTP7N60B3D
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| Teilenummer | HGTP7N60B3D |
| PNEDA Teilenummer | HGTP7N60B3D |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 60W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.930 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP7N60B3D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTP7N60B3D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTP7N60B3D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 56A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 160µJ (on), 120µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 23nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/130ns |
| Testbedingung | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 24A Leistung - max 114W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/89ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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