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NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Nur als Referenz

Teilenummer NGTD20T120F2WP
PNEDA Teilenummer NGTD20T120F2WP
Beschreibung IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Hersteller ON Semiconductor
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NGTD20T120F2WP Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTD20T120F2WP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTD20T120F2WP, NGTD20T120F2WP Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 87,86 KB)
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NGTD20T120F2WP Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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IRG4BC10SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/630ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

NGB8207NT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

365V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 4V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGF10NC60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

24W

Schaltenergie

31.8µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14.2ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

STGWT80V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

448nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

STGW40NC60W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

302µJ (on), 349µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/168ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Kürzlich verkauft

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

AT89C51-24AI

AT89C51-24AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 44TQFP

AUIRF1010ZS

AUIRF1010ZS

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

ERJ-M1WSF20MU

ERJ-M1WSF20MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.02 OHM 1% 1W 2512

MAX1853EXT

MAX1853EXT

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV SC70-6

VNQ600

VNQ600

STMicroelectronics

RELAY SSR 4-CH HI-SIDE 28-SOIC

AD8421ARMZ-R7

AD8421ARMZ-R7

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8MSOP

AT25M01-SSHM-T

AT25M01-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

ATMEGA162-16PU

ATMEGA162-16PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 40DIP

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

M24M01-RMN6P

M24M01-RMN6P

STMicroelectronics

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO