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STGWT80V60F

STGWT80V60F

Nur als Referenz

Teilenummer STGWT80V60F
PNEDA Teilenummer STGWT80V60F
Beschreibung IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGWT80V60F Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWT80V60F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWT80V60F, STGWT80V60F Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.642,39 KB)
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STGWT80V60F Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 80A
Leistung - max469W
Schaltenergie1.8mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge448nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/220ns
Testbedingung400V, 80A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

198W

Schaltenergie

1.9mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/580ns

Testbedingung

800V, 15A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

Leistung - max

284W

Schaltenergie

250µJ (on), 4.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/220ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

2.24mJ (on), 1.02mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/464ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247

IGW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

306W

Schaltenergie

1.68mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

223nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/197ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

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Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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