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IXBL60N360

IXBL60N360

Nur als Referenz

Teilenummer IXBL60N360
PNEDA Teilenummer IXBL60N360
Beschreibung IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.640
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IXBL60N360 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBL60N360
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBL60N360, IXBL60N360 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 159,36 KB)
PDFIXBL60N360 Datenblatt Cover
IXBL60N360 Datenblatt Seite 2 IXBL60N360 Datenblatt Seite 3 IXBL60N360 Datenblatt Seite 4 IXBL60N360 Datenblatt Seite 5

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IXBL60N360 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)92A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)720A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 60A
Leistung - max417W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge450nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/340ns
Testbedingung960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.95µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUSi5-Pak™
LieferantengerätepaketISOPLUSi5-Pak™

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

280nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/116ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

742µJ (on), 427µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

500ns/4µs

Testbedingung

300V, 8A, 100Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

LPDS

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

20µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/84ns

Testbedingung

400V, 8A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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