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IXBL60N360

IXBL60N360

Nur als Referenz

Teilenummer IXBL60N360
PNEDA Teilenummer IXBL60N360
Beschreibung IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.640
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IXBL60N360 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBL60N360
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBL60N360, IXBL60N360 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 159,36 KB)
PDFIXBL60N360 Datenblatt Cover
IXBL60N360 Datenblatt Seite 2 IXBL60N360 Datenblatt Seite 3 IXBL60N360 Datenblatt Seite 4 IXBL60N360 Datenblatt Seite 5

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IXBL60N360 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)92A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)720A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 60A
Leistung - max417W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge450nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/340ns
Testbedingung960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.95µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUSi5-Pak™
LieferantengerätepaketISOPLUSi5-Pak™

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Leistung - max

255W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

132nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/245ns

Testbedingung

180V, 35A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.59mJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

280nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/116ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.6mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

143ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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75A

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