FGH60N60SMD-F085
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| Teilenummer | FGH60N60SMD-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FGH60N60SMD-F085 |
| Beschreibung | IGBT 600V 120A 600W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.302 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH60N60SMD-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH60N60SMD-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH60N60SMD-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 1.59mJ (on), 390µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 280nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/116ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/100ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max 90W Schaltenergie 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/215ns Testbedingung 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max 125W Schaltenergie 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/30ns Testbedingung 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 305W Schaltenergie 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/175ns Testbedingung 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 278W Schaltenergie 1.55mJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/74ns Testbedingung 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
