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IHW40N60RFFKSA1

IHW40N60RFFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IHW40N60RFFKSA1
PNEDA Teilenummer IHW40N60RFFKSA1
Beschreibung IGBT 600V 80A 305W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.806
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IHW40N60RFFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW40N60RFFKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IHW40N60RFFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Leistung - max305W
Schaltenergie560µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge220nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/175ns
Testbedingung400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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STGW60H65DFB-4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

346µJ (on), 1.161mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/261ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

NGB8204NT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRGI4056DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 9A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

59µJ (on), 177µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/84ns

Testbedingung

400V, 9A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

NGTB40N120IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 40A

Leistung - max

384W

Schaltenergie

950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/230ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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