APT50GT120LRDQ2G
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| Teilenummer | APT50GT120LRDQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT50GT120LRDQ2G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 106A 694W TO264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GT120LRDQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GT120LRDQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT50GT120LRDQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 106A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 694W |
| Schaltenergie | 2585µJ (on), 1910µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 240nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/215ns |
| Testbedingung | 800V, 50A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 24A Leistung - max 150W Schaltenergie 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/75ns Testbedingung 480V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
