Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT50GT120LRDQ2G
PNEDA Teilenummer APT50GT120LRDQ2G
Beschreibung IGBT 1200V 106A 694W TO264
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.464
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Sep 23 - Sep 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT50GT120LRDQ2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT50GT120LRDQ2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APT50GT120LRDQ2G Datasheet
  • where to find APT50GT120LRDQ2G
  • Microsemi

  • Microsemi APT50GT120LRDQ2G
  • APT50GT120LRDQ2G PDF Datasheet
  • APT50GT120LRDQ2G Stock

  • APT50GT120LRDQ2G Pinout
  • Datasheet APT50GT120LRDQ2G
  • APT50GT120LRDQ2G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APT50GT120LRDQ2G Price
  • APT50GT120LRDQ2G Distributor

APT50GT120LRDQ2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)106A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Leistung - max694W
Schaltenergie2585µJ (on), 1910µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge240nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/215ns
Testbedingung800V, 50A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 [L]

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RGTV60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

194W

Schaltenergie

570µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

178A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

8.7mJ (on), 5.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

260nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/180ns

Testbedingung

850V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

AOTF20B65LN2

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 20A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

450µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/135ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

266ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRGIB4615DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

145µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

STGB20NC60VT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

IR2110STRPBF

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC

SHT30-ARP-B

SHT30-ARP-B

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V ANLG 3% SMD

KSR223GLFG

KSR223GLFG

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

7914J-1-032

7914J-1-032

Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V

744272221

744272221

Wurth Electronics

CMC 220UH 2.2A 2LN 780 OHM SMD

IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

MAX912ESE+

MAX912ESE+

Maxim Integrated

IC COMPARATOR LP 16-SOIC

APE30024

APE30024

Panasonic Electric Works

RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 24V

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

XU208-128-TQ64-C10

XU208-128-TQ64-C10

XMOS

IC MCU 32BIT ROMLESS 64TQFP