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L6221AD

L6221AD L6221AD

Nur als Referenz

Teilenummer L6221AD
PNEDA Teilenummer L6221AD
Beschreibung TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

L6221AD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerL6221AD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
L6221AD, L6221AD Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 763,03 KB)
PDFE-L6221AD Datenblatt Cover
E-L6221AD Datenblatt Seite 2 E-L6221AD Datenblatt Seite 3 E-L6221AD Datenblatt Seite 4 E-L6221AD Datenblatt Seite 5 E-L6221AD Datenblatt Seite 6 E-L6221AD Datenblatt Seite 7 E-L6221AD Datenblatt Seite 8 E-L6221AD Datenblatt Seite 9 E-L6221AD Datenblatt Seite 10 E-L6221AD Datenblatt Seite 11

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L6221AD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Transistortyp4 NPN Darlington (Quad)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 1.8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket20-SO

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Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

Mini6-G4-B

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Common Emitter

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMV

UMX5NTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

11V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

3.2GHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

UMT6

NST3946DXV6T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

CPH5517-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP (Common Base)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

430mV @ 10mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

420MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Lieferantengerätepaket

5-CPH

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