EMZ1T2R
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| Teilenummer | EMZ1T2R |
| PNEDA Teilenummer | EMZ1T2R |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 129.000 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EMZ1T2R Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EMZ1T2R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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EMZ1T2R Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 150mW |
| Frequenz - Übergang | 180MHz, 140MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | EMT6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
