BC848CDXV6T5
Nur als Referenz
| Teilenummer | BC848CDXV6T5 |
| PNEDA Teilenummer | BC848CDXV6T5 |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.056 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BC848CDXV6T5 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC848CDXV6T5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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BC848CDXV6T5 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket SMV |
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