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UMX5NTR

UMX5NTR

Nur als Referenz

Teilenummer UMX5NTR
PNEDA Teilenummer UMX5NTR
Beschreibung TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 59.994
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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UMX5NTR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUMX5NTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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UMX5NTR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)11V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 10V
Leistung - max150mW
Frequenz - Übergang3.2GHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketUMT6

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SMINI6-G1

ZDT1053TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

440mV @ 250mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 150mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

MINI6-G1

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

USV

2N2639

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10µA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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