UMX5NTR
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| Teilenummer | UMX5NTR |
| PNEDA Teilenummer | UMX5NTR |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 59.994 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UMX5NTR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UMX5NTR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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UMX5NTR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 11V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 10V |
| Leistung - max | 150mW |
| Frequenz - Übergang | 3.2GHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | UMT6 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7.5A, 6.3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 275mV @ 375mA, 7.5A / 350mV @ 325mA, 6.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 4A, 2V / 150 @ 4A, 2V Leistung - max 2.3W Frequenz - Übergang 115MHz, 105MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 75V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 440mV @ 250mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1A, 2V Leistung - max 2.75W Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
