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XN0440200L

XN0440200L

Nur als Referenz

Teilenummer XN0440200L
PNEDA Teilenummer XN0440200L
Beschreibung TRANS 2PNP 50V 0.5A MINI6
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 7.146
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XN0440200L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerXN0440200L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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XN0440200L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce85 @ 150mA, 10V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketMINI6-G1

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN, PNP Complementary

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V, 60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA, 1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA, 50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-363

JAN2N3810L

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

ZXTDA1M832TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A, 4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V, 12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

120MHz, 110MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MLP (3x2)

SG2803J-DESC

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

8 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

18-CDIP

SN75468NSRG4

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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