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STGB20NC60VT4

STGB20NC60VT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGB20NC60VT4
PNEDA Teilenummer STGB20NC60VT4
Beschreibung IGBT 600V 60A 200W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGB20NC60VT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB20NC60VT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB20NC60VT4, STGB20NC60VT4 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 464,75 KB)
PDFSTGB20NC60VT4 Datenblatt Cover
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STGB20NC60VT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie220µJ (on), 330µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/100ns
Testbedingung390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.37mJ (on), 470µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/93ns

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

220ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IRG4PC20U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRGP4269DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRGP4066D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

155ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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